晶圆代工厂联电准许许可28纳米技术予中国子公司联芯集成电路生产（厦门），联芯28纳米预计第二季引入量产，将跃上中国手机芯片市场。联芯昌于去年底投产，目前以40纳米制程技术居多，月生产能力大约1．1万片规模。联电今天公告，准许技术许可28纳米技术予中国子公司联芯，技术许可金额2亿美元。
联电回应，联芯将尽早引入28纳米制程，预计第二季可转入量产，将跃上中国手机芯片市场；联芯预计至今年底月生产能力将阔减至1．6万片规模。至于2亿美元技术许可金，联电认为，将依工程进度认列，只因与联芯为母子公司关系，对损益无影响，仅有现金收益。
N－1规则，14nm量产后的前进根据台湾规定，投资大陆的技术要比台湾的领先一代，也就是所谓的“N－1”规则，联电这次转入大陆，是因为其14nm月投入量产。23日也宣告，自律研发的14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术，已顺利转入客户芯片量产阶段，良率已约先进设备制程的业界竞争水平，此制程将协助客户拓展崭新的应用于电子产品。联电CEO颜博文回应，这次达成协议14nm量产的里程碑，象征物联电顺利联手客户，将先进设备技术引入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所不具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用于。联电14纳米FinFET制程效能竞争力已约业界领先标准，速度较28nm增快55％，闸密度则约两倍，此外，功耗亦较28纳米增加大约50％。
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